昆明某半导体材料基带芯片生所产生产商，晶圆代加工流程中所产生含硅、氟的异常污焦化废水 ，设计方案清理投资规模1200吨/日。污焦化废水 因素简化，带有微米级硅颗粒物及氢氧化钠，传统意义清理做法无发考核标准。 废渣含量及源于 主要的感染物 ：固体硅（100-500nm比表面积）、氟正离子（200-300mg/L）、异丙醇 源于工艺程序 ：晶圆刻蚀焦化电镀废水（45%）、CMP化工机器磨光焦化电镀废水（40%）、装备喷洗水（15%） 清理施工工艺程序 科技创新应用"药剂学奠定+特殊工种膜提取"枝术路线图： 钙盐放置 ：加药氯化钙去掉氟亚铁离子（绘制CaF2悠长岁月中） 二沉池反映 ：塑料二沉池剂进行橡胶胶体部分硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm管径膜挤占微细粒子 反渗透膜到体系 ：脱盐率>98%，回收并率75% 蒸馏成果 ：浓水段完成氟化物零排出 终结感觉 氟化物氧化还原电位：<8mg/L（高出中国1级准则10mg/L） 硅含锌量：<5mg/L 水資源中水回用率：70%在冷却水塔皮肤补水 垃圾减轻药量：蒸发器杂质量较中国传统的工艺抑制60%